Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Číslo dílu
FDC6561AN
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
700mW
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6373 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC6561AN
FDC6561AN Elektronické komponenty
FDC6561AN Odbyt
FDC6561AN Dodavatel
FDC6561AN Distributor
FDC6561AN Datová tabulka
FDC6561AN Fotky
FDC6561AN Cena
FDC6561AN Nabídka
FDC6561AN Nejnižší cena
FDC6561AN Vyhledávání
FDC6561AN Nákup
FDC6561AN Chip