FDD6N50TF
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Číslo dílu
FDD6N50TF
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44214 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD6N50TF
FDD6N50TF Elektronické komponenty
FDD6N50TF Odbyt
FDD6N50TF Dodavatel
FDD6N50TF Distributor
FDD6N50TF Datová tabulka
FDD6N50TF Fotky
FDD6N50TF Cena
FDD6N50TF Nabídka
FDD6N50TF Nejnižší cena
FDD6N50TF Vyhledávání
FDD6N50TF Nákup
FDD6N50TF Chip