Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Číslo dílu
FDFME2P823ZT
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UFDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-MicroFET (1.6x1.6)
Ztráta energie (max.)
1.4W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25048 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDFME2P823ZT
FDFME2P823ZT Elektronické komponenty
FDFME2P823ZT Odbyt
FDFME2P823ZT Dodavatel
FDFME2P823ZT Distributor
FDFME2P823ZT Datová tabulka
FDFME2P823ZT Fotky
FDFME2P823ZT Cena
FDFME2P823ZT Nabídka
FDFME2P823ZT Nejnižší cena
FDFME2P823ZT Vyhledávání
FDFME2P823ZT Nákup
FDFME2P823ZT Chip