Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMA291P
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-MicroFET (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9626 PCS