FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Číslo dílu
FDS6675BZ
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2470pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38269 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDS6675BZ
FDS6675BZ Elektronické komponenty
FDS6675BZ Odbyt
FDS6675BZ Dodavatel
FDS6675BZ Distributor
FDS6675BZ Datová tabulka
FDS6675BZ Fotky
FDS6675BZ Cena
FDS6675BZ Nabídka
FDS6675BZ Nejnižší cena
FDS6675BZ Vyhledávání
FDS6675BZ Nákup
FDS6675BZ Chip