Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB4N90TM

FQB4N90TM

MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
Číslo dílu
FQB4N90TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22985 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQB4N90TM
FQB4N90TM Elektronické komponenty
FQB4N90TM Odbyt
FQB4N90TM Dodavatel
FQB4N90TM Distributor
FQB4N90TM Datová tabulka
FQB4N90TM Fotky
FQB4N90TM Cena
FQB4N90TM Nabídka
FQB4N90TM Nejnižší cena
FQB4N90TM Vyhledávání
FQB4N90TM Nákup
FQB4N90TM Chip