Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB6N60CTM

FQB6N60CTM

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Číslo dílu
FQB6N60CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14918 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQB6N60CTM
FQB6N60CTM Elektronické komponenty
FQB6N60CTM Odbyt
FQB6N60CTM Dodavatel
FQB6N60CTM Distributor
FQB6N60CTM Datová tabulka
FQB6N60CTM Fotky
FQB6N60CTM Cena
FQB6N60CTM Nabídka
FQB6N60CTM Nejnižší cena
FQB6N60CTM Vyhledávání
FQB6N60CTM Nákup
FQB6N60CTM Chip