Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Číslo dílu
FQB7N65CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
173W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1245pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17781 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB7N65CTM
FQB7N65CTM Elektronické komponenty
FQB7N65CTM Odbyt
FQB7N65CTM Dodavatel
FQB7N65CTM Distributor
FQB7N65CTM Datová tabulka
FQB7N65CTM Fotky
FQB7N65CTM Cena
FQB7N65CTM Nabídka
FQB7N65CTM Nejnižší cena
FQB7N65CTM Vyhledávání
FQB7N65CTM Nákup
FQB7N65CTM Chip