Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI19N20CTU

FQI19N20CTU

MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
Číslo dílu
FQI19N20CTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29542 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI19N20CTU
FQI19N20CTU Elektronické komponenty
FQI19N20CTU Odbyt
FQI19N20CTU Dodavatel
FQI19N20CTU Distributor
FQI19N20CTU Datová tabulka
FQI19N20CTU Fotky
FQI19N20CTU Cena
FQI19N20CTU Nabídka
FQI19N20CTU Nejnižší cena
FQI19N20CTU Vyhledávání
FQI19N20CTU Nákup
FQI19N20CTU Chip