Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF19N10L

FQPF19N10L

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
Číslo dílu
FQPF19N10L
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8816 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF19N10L
FQPF19N10L Elektronické komponenty
FQPF19N10L Odbyt
FQPF19N10L Dodavatel
FQPF19N10L Distributor
FQPF19N10L Datová tabulka
FQPF19N10L Fotky
FQPF19N10L Cena
FQPF19N10L Nabídka
FQPF19N10L Nejnižší cena
FQPF19N10L Vyhledávání
FQPF19N10L Nákup
FQPF19N10L Chip