Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQPF19N20T

FQPF19N20T

MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
Číslo dílu
FQPF19N20T
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220F
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20921 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQPF19N20T
FQPF19N20T Elektronické komponenty
FQPF19N20T Odbyt
FQPF19N20T Dodavatel
FQPF19N20T Distributor
FQPF19N20T Datová tabulka
FQPF19N20T Fotky
FQPF19N20T Cena
FQPF19N20T Nabídka
FQPF19N20T Nejnižší cena
FQPF19N20T Vyhledávání
FQPF19N20T Nákup
FQPF19N20T Chip