Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF76609D3ST

HUF76609D3ST

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Číslo dílu
HUF76609D3ST
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
49W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21256 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF76609D3ST
HUF76609D3ST Elektronické komponenty
HUF76609D3ST Odbyt
HUF76609D3ST Dodavatel
HUF76609D3ST Distributor
HUF76609D3ST Datová tabulka
HUF76609D3ST Fotky
HUF76609D3ST Cena
HUF76609D3ST Nabídka
HUF76609D3ST Nejnižší cena
HUF76609D3ST Vyhledávání
HUF76609D3ST Nákup
HUF76609D3ST Chip