Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF76629D3

HUF76629D3

MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Číslo dílu
HUF76629D3
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1285pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14650 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF76629D3
HUF76629D3 Elektronické komponenty
HUF76629D3 Odbyt
HUF76629D3 Dodavatel
HUF76629D3 Distributor
HUF76629D3 Datová tabulka
HUF76629D3 Fotky
HUF76629D3 Cena
HUF76629D3 Nabídka
HUF76629D3 Nejnižší cena
HUF76629D3 Vyhledávání
HUF76629D3 Nákup
HUF76629D3 Chip