Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUF76629D3S

HUF76629D3S

MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Číslo dílu
HUF76629D3S
Výrobce/značka
Série
UltraFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1285pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41337 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova HUF76629D3S
HUF76629D3S Elektronické komponenty
HUF76629D3S Odbyt
HUF76629D3S Dodavatel
HUF76629D3S Distributor
HUF76629D3S Datová tabulka
HUF76629D3S Fotky
HUF76629D3S Cena
HUF76629D3S Nabídka
HUF76629D3S Nejnižší cena
HUF76629D3S Vyhledávání
HUF76629D3S Nákup
HUF76629D3S Chip