Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HUFA76619D3ST
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
767pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27137 PCS
Klíčová slova HUFA76619D3ST
HUFA76619D3ST Elektronické komponenty
HUFA76619D3ST Odbyt
HUFA76619D3ST Dodavatel
HUFA76619D3ST Distributor
HUFA76619D3ST Datová tabulka
HUFA76619D3ST Fotky
HUFA76619D3ST Cena
HUFA76619D3ST Nabídka
HUFA76619D3ST Nejnižší cena
HUFA76619D3ST Vyhledávání
HUFA76619D3ST Nákup
HUFA76619D3ST Chip