MGSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
Číslo dílu
MGSF2N02ELT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6823 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G Elektronické komponenty
MGSF2N02ELT1G Odbyt
MGSF2N02ELT1G Dodavatel
MGSF2N02ELT1G Distributor
MGSF2N02ELT1G Datová tabulka
MGSF2N02ELT1G Fotky
MGSF2N02ELT1G Cena
MGSF2N02ELT1G Nabídka
MGSF2N02ELT1G Nejnižší cena
MGSF2N02ELT1G Vyhledávání
MGSF2N02ELT1G Nákup
MGSF2N02ELT1G Chip