Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
Číslo dílu
MMBF170LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
225mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42516 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMBF170LT1G
MMBF170LT1G Elektronické komponenty
MMBF170LT1G Odbyt
MMBF170LT1G Dodavatel
MMBF170LT1G Distributor
MMBF170LT1G Datová tabulka
MMBF170LT1G Fotky
MMBF170LT1G Cena
MMBF170LT1G Nabídka
MMBF170LT1G Nejnižší cena
MMBF170LT1G Vyhledávání
MMBF170LT1G Nákup
MMBF170LT1G Chip