Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMBFJ177LT1G
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Číslo dílu
MMBFJ177LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Výkon - Max
225mW
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Typ FET
P-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V (VGS)
Napětí – průraz (V(BR)GSS)
30V
Proud – odvod (Idss) @ Vds (Vgs=0)
1.5mA @ 15V
Proudový odběr (Id) - Max
-
Napětí - Cutoff (VGS vypnuto) @ Id
800mV @ 10nA
Odolnost – RDS (aktivní)
300 Ohms
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54710 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G Elektronické komponenty
MMBFJ177LT1G Odbyt
MMBFJ177LT1G Dodavatel
MMBFJ177LT1G Distributor
MMBFJ177LT1G Datová tabulka
MMBFJ177LT1G Fotky
MMBFJ177LT1G Cena
MMBFJ177LT1G Nabídka
MMBFJ177LT1G Nejnižší cena
MMBFJ177LT1G Vyhledávání
MMBFJ177LT1G Nákup
MMBFJ177LT1G Chip