Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMDF3N02HDR2G

MMDF3N02HDR2G

MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
Číslo dílu
MMDF3N02HDR2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43879 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MMDF3N02HDR2G
MMDF3N02HDR2G Elektronické komponenty
MMDF3N02HDR2G Odbyt
MMDF3N02HDR2G Dodavatel
MMDF3N02HDR2G Distributor
MMDF3N02HDR2G Datová tabulka
MMDF3N02HDR2G Fotky
MMDF3N02HDR2G Cena
MMDF3N02HDR2G Nabídka
MMDF3N02HDR2G Nejnižší cena
MMDF3N02HDR2G Vyhledávání
MMDF3N02HDR2G Nákup
MMDF3N02HDR2G Chip