Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NCP5181DR2G

NCP5181DR2G

IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
Číslo dílu
NCP5181DR2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
10 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Počet řidičů
2
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 2.3V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
1.4A, 2.2A
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
600V
Časy nahoru/dolů (Tip)
40ns, 20ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11331 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NCP5181DR2G
NCP5181DR2G Elektronické komponenty
NCP5181DR2G Odbyt
NCP5181DR2G Dodavatel
NCP5181DR2G Distributor
NCP5181DR2G Datová tabulka
NCP5181DR2G Fotky
NCP5181DR2G Cena
NCP5181DR2G Nabídka
NCP5181DR2G Nejnižší cena
NCP5181DR2G Vyhledávání
NCP5181DR2G Nákup
NCP5181DR2G Chip