Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NCP5359AMNR2G
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
Provozní teplota
0°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VFDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-DFN (2x2)
Zdroj napětí
10 V ~ 13.2 V
Řízená konfigurace
Half-Bridge
Typ brány
N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
1V, 2V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
-
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
30V
Časy nahoru/dolů (Tip)
16ns, 15ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52180 PCS
Klíčová slova NCP5359AMNR2G
NCP5359AMNR2G Elektronické komponenty
NCP5359AMNR2G Odbyt
NCP5359AMNR2G Dodavatel
NCP5359AMNR2G Distributor
NCP5359AMNR2G Datová tabulka
NCP5359AMNR2G Fotky
NCP5359AMNR2G Cena
NCP5359AMNR2G Nabídka
NCP5359AMNR2G Nejnižší cena
NCP5359AMNR2G Vyhledávání
NCP5359AMNR2G Nákup
NCP5359AMNR2G Chip