Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Číslo dílu
NDS8852H
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
1W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13338 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDS8852H
NDS8852H Elektronické komponenty
NDS8852H Odbyt
NDS8852H Dodavatel
NDS8852H Distributor
NDS8852H Datová tabulka
NDS8852H Fotky
NDS8852H Cena
NDS8852H Nabídka
NDS8852H Nejnižší cena
NDS8852H Vyhledávání
NDS8852H Nákup
NDS8852H Chip