NDS9952A
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Číslo dílu
NDS9952A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
900mW
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A, 2.9A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26863 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDS9952A
NDS9952A Elektronické komponenty
NDS9952A Odbyt
NDS9952A Dodavatel
NDS9952A Distributor
NDS9952A Datová tabulka
NDS9952A Fotky
NDS9952A Cena
NDS9952A Nabídka
NDS9952A Nejnižší cena
NDS9952A Vyhledávání
NDS9952A Nákup
NDS9952A Chip