Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Číslo dílu
NSVMUN5212DW1T1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Výkon - Max
250mW
Dodavatelský balíček zařízení
SC-88/SC70-6/SOT-363
Typy tranzistorů
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Proud – kolektor (Ic) (Max)
100mA
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Proud – limit sběrače (Max)
500nA
Zisk stejnosměrného proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Frekvence - Přechod
-
Rezistor – základna (R1)
22 kOhms
Rezistor – základna emitoru (R2)
22 kOhms
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27149 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G Elektronické komponenty
NSVMUN5212DW1T1G Odbyt
NSVMUN5212DW1T1G Dodavatel
NSVMUN5212DW1T1G Distributor
NSVMUN5212DW1T1G Datová tabulka
NSVMUN5212DW1T1G Fotky
NSVMUN5212DW1T1G Cena
NSVMUN5212DW1T1G Nabídka
NSVMUN5212DW1T1G Nejnižší cena
NSVMUN5212DW1T1G Vyhledávání
NSVMUN5212DW1T1G Nákup
NSVMUN5212DW1T1G Chip