NTD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Číslo dílu
NTD4809NHT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 11.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7331 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD4809NHT4G
NTD4809NHT4G Elektronické komponenty
NTD4809NHT4G Odbyt
NTD4809NHT4G Dodavatel
NTD4809NHT4G Distributor
NTD4809NHT4G Datová tabulka
NTD4809NHT4G Fotky
NTD4809NHT4G Cena
NTD4809NHT4G Nabídka
NTD4809NHT4G Nejnižší cena
NTD4809NHT4G Vyhledávání
NTD4809NHT4G Nákup
NTD4809NHT4G Chip