Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD4969N-35G
MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3
Číslo dílu
NTD4969N-35G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48311 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD4969N-35G
NTD4969N-35G Elektronické komponenty
NTD4969N-35G Odbyt
NTD4969N-35G Dodavatel
NTD4969N-35G Distributor
NTD4969N-35G Datová tabulka
NTD4969N-35G Fotky
NTD4969N-35G Cena
NTD4969N-35G Nabídka
NTD4969N-35G Nejnižší cena
NTD4969N-35G Vyhledávání
NTD4969N-35G Nákup
NTD4969N-35G Chip