Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
Číslo dílu
NTD4979NT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22524 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD4979NT4G
NTD4979NT4G Elektronické komponenty
NTD4979NT4G Odbyt
NTD4979NT4G Dodavatel
NTD4979NT4G Distributor
NTD4979NT4G Datová tabulka
NTD4979NT4G Fotky
NTD4979NT4G Cena
NTD4979NT4G Nabídka
NTD4979NT4G Nejnižší cena
NTD4979NT4G Vyhledávání
NTD4979NT4G Nákup
NTD4979NT4G Chip