Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD80N02T4G
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Číslo dílu
NTD80N02T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
24V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43791 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD80N02T4G
NTD80N02T4G Elektronické komponenty
NTD80N02T4G Odbyt
NTD80N02T4G Dodavatel
NTD80N02T4G Distributor
NTD80N02T4G Datová tabulka
NTD80N02T4G Fotky
NTD80N02T4G Cena
NTD80N02T4G Nabídka
NTD80N02T4G Nejnižší cena
NTD80N02T4G Vyhledávání
NTD80N02T4G Nákup
NTD80N02T4G Chip