Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTHS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Číslo dílu
NTHS2101PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 6.4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9852 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTHS2101PT1G
NTHS2101PT1G Elektronické komponenty
NTHS2101PT1G Odbyt
NTHS2101PT1G Dodavatel
NTHS2101PT1G Distributor
NTHS2101PT1G Datová tabulka
NTHS2101PT1G Fotky
NTHS2101PT1G Cena
NTHS2101PT1G Nabídka
NTHS2101PT1G Nejnižší cena
NTHS2101PT1G Vyhledávání
NTHS2101PT1G Nákup
NTHS2101PT1G Chip