Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Číslo dílu
NTJD4105CT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Výkon - Max
270mW
Dodavatelský balíček zařízení
SC-88/SC70-6/SOT-363
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V, 8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
630mA, 775mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13674 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Elektronické komponenty
NTJD4105CT1G Odbyt
NTJD4105CT1G Dodavatel
NTJD4105CT1G Distributor
NTJD4105CT1G Datová tabulka
NTJD4105CT1G Fotky
NTJD4105CT1G Cena
NTJD4105CT1G Nabídka
NTJD4105CT1G Nejnižší cena
NTJD4105CT1G Vyhledávání
NTJD4105CT1G Nákup
NTJD4105CT1G Chip