Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Číslo dílu
NTMD6N02R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
730mW
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.92A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40072 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTMD6N02R2G
NTMD6N02R2G Elektronické komponenty
NTMD6N02R2G Odbyt
NTMD6N02R2G Dodavatel
NTMD6N02R2G Distributor
NTMD6N02R2G Datová tabulka
NTMD6N02R2G Fotky
NTMD6N02R2G Cena
NTMD6N02R2G Nabídka
NTMD6N02R2G Nejnižší cena
NTMD6N02R2G Vyhledávání
NTMD6N02R2G Nákup
NTMD6N02R2G Chip