Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Číslo dílu
NTZD5110NT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Výkon - Max
250mW
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-563
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
294mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
24.5pF @ 20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18595 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G Elektronické komponenty
NTZD5110NT1G Odbyt
NTZD5110NT1G Dodavatel
NTZD5110NT1G Distributor
NTZD5110NT1G Datová tabulka
NTZD5110NT1G Fotky
NTZD5110NT1G Cena
NTZD5110NT1G Nabídka
NTZD5110NT1G Nejnižší cena
NTZD5110NT1G Vyhledávání
NTZD5110NT1G Nákup
NTZD5110NT1G Chip