Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Číslo dílu
NVD4809NHT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 11.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 11.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31810 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD4809NHT4G
NVD4809NHT4G Elektronické komponenty
NVD4809NHT4G Odbyt
NVD4809NHT4G Dodavatel
NVD4809NHT4G Distributor
NVD4809NHT4G Datová tabulka
NVD4809NHT4G Fotky
NVD4809NHT4G Cena
NVD4809NHT4G Nabídka
NVD4809NHT4G Nejnižší cena
NVD4809NHT4G Vyhledávání
NVD4809NHT4G Nákup
NVD4809NHT4G Chip