Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD4856NT4G
MOSFET N-CH 25V 89A DPAK
Číslo dílu
NVD4856NT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2241pF @ 12V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11522 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD4856NT4G
NVD4856NT4G Elektronické komponenty
NVD4856NT4G Odbyt
NVD4856NT4G Dodavatel
NVD4856NT4G Distributor
NVD4856NT4G Datová tabulka
NVD4856NT4G Fotky
NVD4856NT4G Cena
NVD4856NT4G Nabídka
NVD4856NT4G Nejnižší cena
NVD4856NT4G Vyhledávání
NVD4856NT4G Nákup
NVD4856NT4G Chip