Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFD5873NLT1G

NVMFD5873NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Číslo dílu
NVMFD5873NLT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
3.1W
Dodavatelský balíček zařízení
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7105 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFD5873NLT1G
NVMFD5873NLT1G Elektronické komponenty
NVMFD5873NLT1G Odbyt
NVMFD5873NLT1G Dodavatel
NVMFD5873NLT1G Distributor
NVMFD5873NLT1G Datová tabulka
NVMFD5873NLT1G Fotky
NVMFD5873NLT1G Cena
NVMFD5873NLT1G Nabídka
NVMFD5873NLT1G Nejnižší cena
NVMFD5873NLT1G Vyhledávání
NVMFD5873NLT1G Nákup
NVMFD5873NLT1G Chip