Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFD5877NLWFT1G

NVMFD5877NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
Číslo dílu
NVMFD5877NLWFT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
3.2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50412 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFD5877NLWFT1G
NVMFD5877NLWFT1G Elektronické komponenty
NVMFD5877NLWFT1G Odbyt
NVMFD5877NLWFT1G Dodavatel
NVMFD5877NLWFT1G Distributor
NVMFD5877NLWFT1G Datová tabulka
NVMFD5877NLWFT1G Fotky
NVMFD5877NLWFT1G Cena
NVMFD5877NLWFT1G Nabídka
NVMFD5877NLWFT1G Nejnižší cena
NVMFD5877NLWFT1G Vyhledávání
NVMFD5877NLWFT1G Nákup
NVMFD5877NLWFT1G Chip