Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFD5C650NLWFT1G

NVMFD5C650NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Číslo dílu
NVMFD5C650NLWFT1G
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Výkon - Max
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 98µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2546pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27680 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFD5C650NLWFT1G
NVMFD5C650NLWFT1G Elektronické komponenty
NVMFD5C650NLWFT1G Odbyt
NVMFD5C650NLWFT1G Dodavatel
NVMFD5C650NLWFT1G Distributor
NVMFD5C650NLWFT1G Datová tabulka
NVMFD5C650NLWFT1G Fotky
NVMFD5C650NLWFT1G Cena
NVMFD5C650NLWFT1G Nabídka
NVMFD5C650NLWFT1G Nejnižší cena
NVMFD5C650NLWFT1G Vyhledávání
NVMFD5C650NLWFT1G Nákup
NVMFD5C650NLWFT1G Chip