HAT2160H-EL-E
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Číslo dílu
HAT2160H-EL-E
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-100, SOT-669
Dodavatelský balíček zařízení
LFPAK
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7750pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23494 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HAT2160H-EL-E
HAT2160H-EL-E Elektronické komponenty
HAT2160H-EL-E Odbyt
HAT2160H-EL-E Dodavatel
HAT2160H-EL-E Distributor
HAT2160H-EL-E Datová tabulka
HAT2160H-EL-E Fotky
HAT2160H-EL-E Cena
HAT2160H-EL-E Nabídka
HAT2160H-EL-E Nejnižší cena
HAT2160H-EL-E Vyhledávání
HAT2160H-EL-E Nákup
HAT2160H-EL-E Chip