Koupit Renesas Electronics America RJK0332DPB-01#J0 MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

RJK0332DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Číslo dílu

RJK0332DPB-01#J0

Výrobce/značka

Renesas Electronics America

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

SC-100, SOT-669

Dodavatelský balíček zařízení

LFPAK

Ztráta energie (max.)

45W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

35A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

4.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 5429 PCS

Kontaktní informace

Související produkty