Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RJK5018DPK-00#T0
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Číslo dílu
RJK5018DPK-00#T0
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
155 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJK5018DPK-00#T0
RJK5018DPK-00#T0 Elektronické komponenty
RJK5018DPK-00#T0 Odbyt
RJK5018DPK-00#T0 Dodavatel
RJK5018DPK-00#T0 Distributor
RJK5018DPK-00#T0 Datová tabulka
RJK5018DPK-00#T0 Fotky
RJK5018DPK-00#T0 Cena
RJK5018DPK-00#T0 Nabídka
RJK5018DPK-00#T0 Nejnižší cena
RJK5018DPK-00#T0 Vyhledávání
RJK5018DPK-00#T0 Nákup
RJK5018DPK-00#T0 Chip