Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RJK6018DPM-00#T1
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Číslo dílu
RJK6018DPM-00#T1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3PFM, SC-93-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PFM
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28879 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJK6018DPM-00#T1
RJK6018DPM-00#T1 Elektronické komponenty
RJK6018DPM-00#T1 Odbyt
RJK6018DPM-00#T1 Dodavatel
RJK6018DPM-00#T1 Distributor
RJK6018DPM-00#T1 Datová tabulka
RJK6018DPM-00#T1 Fotky
RJK6018DPM-00#T1 Cena
RJK6018DPM-00#T1 Nabídka
RJK6018DPM-00#T1 Nejnižší cena
RJK6018DPM-00#T1 Vyhledávání
RJK6018DPM-00#T1 Nákup
RJK6018DPM-00#T1 Chip