Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RJK6032DPH-E0#T2
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Číslo dílu
RJK6032DPH-E0#T2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251
Ztráta energie (max.)
40.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35309 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJK6032DPH-E0#T2
RJK6032DPH-E0#T2 Elektronické komponenty
RJK6032DPH-E0#T2 Odbyt
RJK6032DPH-E0#T2 Dodavatel
RJK6032DPH-E0#T2 Distributor
RJK6032DPH-E0#T2 Datová tabulka
RJK6032DPH-E0#T2 Fotky
RJK6032DPH-E0#T2 Cena
RJK6032DPH-E0#T2 Nabídka
RJK6032DPH-E0#T2 Nejnižší cena
RJK6032DPH-E0#T2 Vyhledávání
RJK6032DPH-E0#T2 Nákup
RJK6032DPH-E0#T2 Chip