Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSM180D12P2C101
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Číslo dílu
BSM180D12P2C101
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
-
Balíček/pouzdro
Module
Výkon - Max
1130W
Dodavatelský balíček zařízení
Module
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V (1.2kV)
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54603 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101 Elektronické komponenty
BSM180D12P2C101 Odbyt
BSM180D12P2C101 Dodavatel
BSM180D12P2C101 Distributor
BSM180D12P2C101 Datová tabulka
BSM180D12P2C101 Fotky
BSM180D12P2C101 Cena
BSM180D12P2C101 Nabídka
BSM180D12P2C101 Nejnižší cena
BSM180D12P2C101 Vyhledávání
BSM180D12P2C101 Nákup
BSM180D12P2C101 Chip