SI8261BBC-C-IS
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Číslo dílu
SI8261BBC-C-IS
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q100
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
Capacitive Coupling
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C
Dohoda
CQC, CSA, UR, VDE
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Počet kanálů
1
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Zdroj napětí
9.4 V ~ 30 V
Proud - Output High, Low
500mA, 1.2A
Napětí - Izolace
3750Vrms
Proud - Špičkový výstup
4A
Časy nahoru/dolů (Tip)
5.5ns, 8.5ns
Dočasná imunita v běžném režimu (min)
35kV/µs
Zpoždění propagace tpLH / tpHL (Max)
60ns, 50ns
Zkreslení šířky pulzu (Max)
28ns
Napětí – vpřed (Vf) (typ)
2.8V (Max)
Proud – DC Forward (If) (Max)
30mA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51400 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI8261BBC-C-IS
SI8261BBC-C-IS Elektronické komponenty
SI8261BBC-C-IS Odbyt
SI8261BBC-C-IS Dodavatel
SI8261BBC-C-IS Distributor
SI8261BBC-C-IS Datová tabulka
SI8261BBC-C-IS Fotky
SI8261BBC-C-IS Cena
SI8261BBC-C-IS Nabídka
SI8261BBC-C-IS Nejnižší cena
SI8261BBC-C-IS Vyhledávání
SI8261BBC-C-IS Nákup
SI8261BBC-C-IS Chip