Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB35N65DM2
NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
Číslo dílu
STB35N65DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
210W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 100V
VGS (max.)
±25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18151 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB35N65DM2
STB35N65DM2 Elektronické komponenty
STB35N65DM2 Odbyt
STB35N65DM2 Dodavatel
STB35N65DM2 Distributor
STB35N65DM2 Datová tabulka
STB35N65DM2 Fotky
STB35N65DM2 Cena
STB35N65DM2 Nabídka
STB35N65DM2 Nejnižší cena
STB35N65DM2 Vyhledávání
STB35N65DM2 Nákup
STB35N65DM2 Chip