STD4NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Číslo dílu
STD4NK100Z
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
601pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36111 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD4NK100Z
STD4NK100Z Elektronické komponenty
STD4NK100Z Odbyt
STD4NK100Z Dodavatel
STD4NK100Z Distributor
STD4NK100Z Datová tabulka
STD4NK100Z Fotky
STD4NK100Z Cena
STD4NK100Z Nabídka
STD4NK100Z Nejnižší cena
STD4NK100Z Vyhledávání
STD4NK100Z Nákup
STD4NK100Z Chip