Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Číslo dílu
STP27N60M2-EP
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2-EP
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
163 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36798 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP27N60M2-EP
STP27N60M2-EP Elektronické komponenty
STP27N60M2-EP Odbyt
STP27N60M2-EP Dodavatel
STP27N60M2-EP Distributor
STP27N60M2-EP Datová tabulka
STP27N60M2-EP Fotky
STP27N60M2-EP Cena
STP27N60M2-EP Nabídka
STP27N60M2-EP Nejnižší cena
STP27N60M2-EP Vyhledávání
STP27N60M2-EP Nákup
STP27N60M2-EP Chip