TSM089N08LCR RLG
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Číslo dílu
TSM089N08LCR RLG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PDFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6119pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32587 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM089N08LCR RLG
TSM089N08LCR RLG Elektronické komponenty
TSM089N08LCR RLG Odbyt
TSM089N08LCR RLG Dodavatel
TSM089N08LCR RLG Distributor
TSM089N08LCR RLG Datová tabulka
TSM089N08LCR RLG Fotky
TSM089N08LCR RLG Cena
TSM089N08LCR RLG Nabídka
TSM089N08LCR RLG Nejnižší cena
TSM089N08LCR RLG Vyhledávání
TSM089N08LCR RLG Nákup
TSM089N08LCR RLG Chip