TSM110NB04CR RLG
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Číslo dílu
TSM110NB04CR RLG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerLDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PDFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1443pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46132 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM110NB04CR RLG
TSM110NB04CR RLG Elektronické komponenty
TSM110NB04CR RLG Odbyt
TSM110NB04CR RLG Dodavatel
TSM110NB04CR RLG Distributor
TSM110NB04CR RLG Datová tabulka
TSM110NB04CR RLG Fotky
TSM110NB04CR RLG Cena
TSM110NB04CR RLG Nabídka
TSM110NB04CR RLG Nejnižší cena
TSM110NB04CR RLG Vyhledávání
TSM110NB04CR RLG Nákup
TSM110NB04CR RLG Chip