TSM170N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Číslo dílu
TSM170N06PQ56 RLG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-PDFN (5x6)
Ztráta energie (max.)
73.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1556pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37168 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM170N06PQ56 RLG
TSM170N06PQ56 RLG Elektronické komponenty
TSM170N06PQ56 RLG Odbyt
TSM170N06PQ56 RLG Dodavatel
TSM170N06PQ56 RLG Distributor
TSM170N06PQ56 RLG Datová tabulka
TSM170N06PQ56 RLG Fotky
TSM170N06PQ56 RLG Cena
TSM170N06PQ56 RLG Nabídka
TSM170N06PQ56 RLG Nejnižší cena
TSM170N06PQ56 RLG Vyhledávání
TSM170N06PQ56 RLG Nákup
TSM170N06PQ56 RLG Chip